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电子元器件详细资料 » IC[25828] » NSBA114TDXV6T5G
型号:NSBA114TDXV6T5G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:SOT-563,SOT-666描述:TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 PNP 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧222-
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)160 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 1mA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商设备封装SOT-563
包装带卷 (TR)

供应商

深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
深圳市科翼源电子有限公司朱小姐13510998172
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
深圳市世品佳电子有限公司销售部0755-/83218466/83200833
深圳山琅电子科技有限公司刘红样086-755-83229865
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NSBA114TDXV6T5G相关型号

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